采用了半间距封装的单通道轻薄通用电晶体耦合器: TLP290, TLP291

TLP290和TLP291是採用了SO4封裝的單通道輸出電晶體耦合器,具有高絕緣電壓(3750 Vrms)及能確保在高溫(Ta = 110°C最大值)。

TLP290和TLP291分別是當前TLP280/TLP284 和TLP281/TLP285的更新產品。 能輕易用這些產品代替現在的這些型號,因為這些產品的參考焊盤尺寸與現在的MFSOP4封裝型號的尺寸是一樣的。

因為SO4 封裝能確保最小為5毫米的間隙和爬電距離,而不是SOP4在現有型號(TLP 280和TLP 281)中所用的4毫米的距離。正如EN 60747-5-5中所規定的那樣,這些產品允許的最大工作絕緣電壓高達707 Vpk。因為TLP 290和TLP 291能確保,與TLP 284和TLP 285具有相同的最小間隙和爬電距離,以及允許的最大工作絕緣電壓也一樣,所以前者能取代後者。

而且,這種產品能確保內部絕緣厚度為0.4毫米,而且屬於加強絕緣種類,符合國外安全標準。 因為這些產品得到了UL、cUL、以及VDE的認證,所以他們非常適用於AC適配器、開關電源、可編程邏輯控制器、轉換器等各種電子設備應用場合。

特徵

工作溫度範圍: -55至110°C

集電極—發射極電壓: 80V (最小值)

絕緣: 3750Vrms (最小值)

電流傳輸比: 50至 400% (at IF=5mA, VCE=5V, Ta=25°C)

應用

開關電源

PLC (可編程邏輯控制器)

FA設備(變頻器、伺服系統)

輪廓圖/間距配置

電路實例

適用於轉換器通信

主要規格

採用了半間距封裝的單通道輕薄通用電晶體耦合器的主要規格: TLP290, TLP291

項目

符號

單位

測試條件

TLP280 / TLP281

TLP290 / TLP291

最小值

典型值

最大值

最小值

典型值

最大值

正向電壓

VF

V

IF=10mA

1

1.15

1.3

1.1

1.25

1.4

集電極暗電流

ICEO

μA

VCE=48V

0.01

0.1

0.01

0.08

集電極-發射極擊穿電壓

V(BR)CEO

V

IC=0.5mA

80

80

集電極–發射極擊穿電壓

V(BR)ECO

V

IE=0.1mA

7

7

電流傳輸比

IC/IF

%

IF=5mA, VCE=5V

50

600

50

400

飽和CTR

IC/IF(sat)

%

IF=1mA, VCE=0.4V

60

60

飽和CTR、GB電平產品

30

30

集電極-發射極飽和電壓

VCE(sat)

V

IC=2.4mA, IF=8mA

0.4

0.3

集電極-發射極飽和電壓,

GB電平

IC=0.2mA, IF=1mA

0.4

0.3

斷開的集電極電流

IC(off)

μA

VF=0.7V, VCE=48V

10

10

絕緣

BVs

Vrms

AC,1分鐘, R.H.≤60%

2500

3750

結構

TLP290 / TLP291

TLP280 / TLP281

(電流產品)

TLP284 / TLP285

(電流產品)

內部結構

雙模類型

單模類型

封裝尺寸

(毫米)

樹脂顏色

黑色

白色

間隙和爬電

距離(毫米)

5.0 (最小值)

4.0 (最小值)

5.0 (最小值)

絕緣厚度

(毫米)

0.4 (最小值)

0.4 (最小值)